不同鈍化結(jié)構(gòu)的HgCdTe光伏探測器暗電流機制

論文類型	基礎研究	發(fā)表日期	2004-12-01
來源	半導體學報
作者	孫濤,陳文橋,梁晉穗,陳興國,胡曉寧,李言謹
關鍵詞	HgCdTe 光伏探測器鈍化倒易點陣暗電流
摘要	在同一HgCdTe晶片上制備了單層ZnS鈍化和雙層(CdTe+ZnS)鈍化的兩種光伏探測器，對器件的性能進行了測試，發(fā)現(xiàn)雙層鈍化的器件具有較好的性能．通過理論計算，分析了器件的暗電流機制，發(fā)現(xiàn)單層鈍化具有較高的表面隧道電流．通過高分辨x射線衍射中的倒易點陣技術研究了單雙層鈍化對HgCdTe外延層晶格完整性的影響，發(fā)現(xiàn)單層ZnS鈍化的HgCdTe外延層產(chǎn)生了大量缺陷，而這些缺陷正是單層鈍化器件具有較高表面隧道電流的原因．

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